STP9NK50Z
Symbol Micros:
TSTP9NK50Z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 850mOhm; 7,2A; 110W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 850mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 7,2A |
Maksymalna tracona moc: | 110W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 500V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP9NK50Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
3099 szt.
ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,9947 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP9NK50Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt.
ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,8211 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP9NK50Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
5127 szt.
ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,9276 |
Rezystancja otwartego kanału: | 850mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 7,2A |
Maksymalna tracona moc: | 110W |
Obudowa: | TO220 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 500V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |