STP9NK50Z
Symbol Micros:
TSTP9NK50Z
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 850mOhm; 7,2A; 110W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 850mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 500V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP9NK50Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
3099 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0118 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP9NK50Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt.
| ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,7377 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP9NK50Z
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
4927 szt.
| ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9326 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 850mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 110W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |