STP9NK50ZFP
Symbol Micros:
TSTP9NK50ZFP
Obudowa: TO220iso
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 500V; 30V; 850mOhm; 7,2A; 30W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 850mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 500V |
Producent: ST
Symbol producenta: STP9NK50ZFP RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,4500 | 2,1700 | 1,7000 | 1,6000 | 1,5000 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP9NK50ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
39380 szt.
| ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0152 |
Producent: ST
Symbol producenta: STP9NK50ZFP
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
5650 szt.
| ilość szt. | 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,9045 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 850mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | TO220iso |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |