STQ1NK60ZR-AP
Symbol Micros:
TSTQ1NK60ZR-AP
Obudowa: TO92
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 15Ohm; 300mA; 3W; -55°C~150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 15Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 3W |
| Obudowa: | TO-92 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 15Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 3W |
| Obudowa: | TO-92 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |