STS5DNF60L
Symbol Micros:
TSTS5DNF60L
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN-MOSFET; 60V; 15V; 55mOhm; 5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 55mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 5A |
Maksymalna tracona moc: | 2W |
Obudowa: | SOP08 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STS5DNF60L RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 97+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 6,7200 | 5,3200 | 4,5300 | 4,1600 | 3,9500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STS5DNF60L
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,9500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STS5DNF60L
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,9500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STS5DNF60L
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,9500 |
Rezystancja otwartego kanału: | 55mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 5A |
Maksymalna tracona moc: | 2W |
Obudowa: | SOP08 |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 15V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |