STT818B

Symbol Micros: TSTT818b
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-6
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 100; 1,2W; 30V; 3A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 1,2W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Obudowa: SOT23-6
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: ST Symbol producenta: STT818B RoHS Obudowa dokładna: SOT23-6/t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3200 0,7290 0,5730 0,5310 0,5090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Moc strat: 1,2W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 100
Obudowa: SOT23-6
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta