STU4N52K3
Symbol Micros:
TSTU4N52K3
Obudowa: TO251 (IPACK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 525V; 30V; 2,6Ohm; 2,5A; 45W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,6Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 45W |
| Obudowa: | TO251 (IPACK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 525V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STU4N52K3 RoHS
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 75+ | 300+ | 1200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1300 | 1,2900 | 0,9550 | 0,8800 | 0,8500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STU4N52K3
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnętrzny:
6150 szt.
| ilość szt. | 525+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8671 |
Producent: ST
Symbol producenta: STU4N52K3
Obudowa dokładna: TO251 (IPACK)
Magazyn zewnętrzny:
5325 szt.
| ilość szt. | 675+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,6Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 45W |
| Obudowa: | TO251 (IPACK) |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 525V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |