STW15NK50Z

Symbol Micros: TSTW15NK50
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 3P
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 500V; 30V; 340mOhm; 14A; 160W; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: STW15NB50;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 340mOhm
Maksymalny prąd drenu: 14A
Maksymalna tracona moc: 160W
Obudowa: TO 3P
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 500V
Producent: ST Symbol producenta: STW15NK50Z RoHS Obudowa dokładna: TO 3P karta katalogowa
Stan magazynowy:
14 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 60+ 300+
cena netto (PLN) 11,6000 8,9100 7,7400 7,5200 7,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30/60
Producent: ST Symbol producenta: STW15NK50Z Obudowa dokładna: TO 3P  
Magazyn zewnetrzny:
760 szt.
ilość szt. 120+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STW15NK50Z Obudowa dokładna: TO 3P  
Magazyn zewnetrzny:
1590 szt.
ilość szt. 120+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STW15NK50Z Obudowa dokładna: TO 3P  
Magazyn zewnetrzny:
6690 szt.
ilość szt. 120+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 340mOhm
Maksymalny prąd drenu: 14A
Maksymalna tracona moc: 160W
Obudowa: TO 3P
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -50°C ~ 150°C
Montaż: THT