STW15NK50Z
Symbol Micros:
TSTW15NK50
Obudowa: TO 3P
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 500V; 30V; 340mOhm; 14A; 160W; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: STW15NB50;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 340mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 14A |
Maksymalna tracona moc: | 160W |
Obudowa: | TO 3P |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 500V |
Producent: ST
Symbol producenta: STW15NK50Z RoHS
Obudowa dokładna: TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
14 szt.
ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 60+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 11,6000 | 8,9100 | 7,7400 | 7,5200 | 7,2500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW15NK50Z
Obudowa dokładna: TO 3P
Magazyn zewnetrzny:
760 szt.
ilość szt. | 120+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 7,2500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW15NK50Z
Obudowa dokładna: TO 3P
Magazyn zewnetrzny:
1590 szt.
ilość szt. | 120+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 7,2500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW15NK50Z
Obudowa dokładna: TO 3P
Magazyn zewnetrzny:
6690 szt.
ilość szt. | 120+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 7,2500 |
Rezystancja otwartego kanału: | 340mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 14A |
Maksymalna tracona moc: | 160W |
Obudowa: | TO 3P |
Producent: | STMicroelectronics |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
Maksymalne napięcie dren-bramka: | 500V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -50°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |