STW20NK50Z
Symbol Micros:
TSTW20NK50z
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 30V; 270mOhm; 20A; 190W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 270mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 190W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Producent: ST
Symbol producenta: STW20NK50Z RoHS
Obudowa dokładna: TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
172 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,7800 | 6,9700 | 6,1800 | 5,9100 | 5,8500 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW20NK50Z
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnętrzny:
40 szt.
| ilość szt. | 5+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,8931 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW20NK50Z
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnętrzny:
13413 szt.
| ilość szt. | 120+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,8500 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 270mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20A |
| Maksymalna tracona moc: | 190W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 500V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |