STW45NM60

Symbol Micros: TSTW45NM60
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 30V; 110mOhm; 45A; 417W; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 110mOhm
Maksymalny prąd drenu: 45A
Maksymalna tracona moc: 417W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STW45NM60 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
48 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 29,6400 27,2900 25,8500 25,1200 24,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Producent: ST Symbol producenta: STW45NM60 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
3160 szt.
ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 24,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STW45NM60 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
420 szt.
ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 24,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ST Symbol producenta: STW45NM60 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnetrzny:
1184 szt.
ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 24,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 110mOhm
Maksymalny prąd drenu: 45A
Maksymalna tracona moc: 417W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Montaż: THT