STW5NK100Z

Symbol Micros: TSTW5NK100Z
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-MOSFET; 1000V; 30V; 3,7Ohm; 3,5A; 125W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3,7Ohm
Maksymalny prąd drenu: 3,5A
Maksymalna tracona moc: 125W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 1000V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: ST Symbol producenta: STW5NK100Z RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
16 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 8,1100 6,0100 5,1300 4,8300 4,7700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Rezystancja otwartego kanału: 3,7Ohm
Maksymalny prąd drenu: 3,5A
Maksymalna tracona moc: 125W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 1000V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT