STW8N120K5 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTW8N120K5
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1200V; 30V; 2Ohm; 6A; 130W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 6A
Maksymalna tracona moc: 130W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 1200V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Producent: ST Symbol producenta: STW8N120K5 Obudowa dokładna: TO247  
Magazyn zewnętrzny:
430 szt.
ilość szt. 30+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 18,7111
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 6A
Maksymalna tracona moc: 130W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 1200V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT