STW8N120K5 STMicroelectronics

Symbol Micros: TSTW8N120K5
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1200V; 30V; 2Ohm; 6A; 130W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 6A
Maksymalna tracona moc: 130W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 1200V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 2Ohm
Maksymalny prąd drenu: 6A
Maksymalna tracona moc: 130W
Obudowa: TO247
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 1200V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT