STW8NK80Z
Symbol Micros:
TSTW8NK80Z
Obudowa: TO 3P
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 800V; 30V; 1,5Ohm; 7,2A; 175W; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: STW8NA80;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 175W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 800V |
Producent: ST
Symbol producenta: STW8NA80
Obudowa dokładna: TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
17 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 90+ | 270+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,6200 | 5,6400 | 4,8100 | 4,6000 | 4,4800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW8NK80Z
Obudowa dokładna: TO 3P
Magazyn zewnetrzny:
2430 szt.
| ilość szt. | 180+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,4800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW8NK80Z
Obudowa dokładna: TO 3P
Magazyn zewnetrzny:
840 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,4800 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW8NK80Z
Obudowa dokładna: TO 3P
Magazyn zewnetrzny:
1290 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,4800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 175W |
| Obudowa: | TO 3P |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 800V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 800V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |