STW9N150
Symbol Micros:
TSTW9N150
Obudowa: TO247
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1500V; 30V; 2,5Ohm; 8A; 320W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8A |
| Maksymalna tracona moc: | 320W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ST
Symbol producenta: STW9N150 RoHS
Obudowa dokładna: TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 29,9900 | 26,9000 | 26,1800 | 25,4400 | 24,9900 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW9N150
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnętrzny:
50 szt.
| ilość szt. | 5+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 27,8124 |
Producent: ST
Symbol producenta: STW9N150
Obudowa dokładna: TO247
Magazyn zewnętrzny:
13479 szt.
| ilość szt. | 30+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 24,9900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,5Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 8A |
| Maksymalna tracona moc: | 320W |
| Obudowa: | TO247 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 1500V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |