SUD23N06-31-GE3
Symbol Micros:
TSUD23N06-31
Obudowa: TO252/3 (DPAK)
Single N-Channel MOSFET 60V 0.031 Ohm 100W
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 31mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 31,25W |
| Obudowa: | TO252/3 (DPAK) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SUD23N06-31-GE3
Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK)
Magazyn zewnętrzny:
8000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3468 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SUD23N06-31-GE3
Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK)
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5026 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SUD23N06-31-GE3
Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK)
Magazyn zewnętrzny:
1650 szt.
| ilość szt. | 50+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,0567 |
Producent: Vishay
Symbol producenta: SUD23N06-31-GE3
Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK)
Magazyn zewnętrzny:
32000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3869 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 31mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 9,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 31,25W |
| Obudowa: | TO252/3 (DPAK) |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |