SUD50P10-43L

Symbol Micros: TSUD50P10-43L
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 48mOhm; 37,1A; 136W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SUD50P10-43L-GE3; SUD50P10-43L-E3;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 48mOhm
Maksymalny prąd drenu: 37,1A
Maksymalna tracona moc: 136W
Obudowa: TO252
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: SUD50P10-43L-GE3 Obudowa dokładna: TO252  
Magazyn zewnetrzny:
1650 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,0032
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: SUD50P10-43L-GE3 Obudowa dokładna: TO252  
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,4945
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-07-10
Ilość szt.: 40
Rezystancja otwartego kanału: 48mOhm
Maksymalny prąd drenu: 37,1A
Maksymalna tracona moc: 136W
Obudowa: TO252
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD