SUD50P10-43L

Symbol Micros: TSUD50P10-43L
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 48mOhm; 37,1A; 136W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: SUD50P10-43L-GE3; SUD50P10-43L-E3;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 48mOhm
Maksymalna tracona moc: 136W
Maksymalny prąd drenu: 37,1A
Obudowa: TO252
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: SUD50P10-43L-E3 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 6,7200 5,3200 4,5300 4,1600 3,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1700
Rezystancja otwartego kanału: 48mOhm
Maksymalna tracona moc: 136W
Maksymalny prąd drenu: 37,1A
Obudowa: TO252
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD