SUM110P06-07L

Symbol Micros: TSUM110P06-07l
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6,9mOhm; 110A; 375W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 6,9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 110A
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: SUM110P06-07L-E3 RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK)  
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 11,0900 8,8000 7,9500 7,5300 7,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Producent: Vishay Symbol producenta: SUM110P06-07L-E3 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
4800 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: SUM110P06-07L-E3 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnetrzny:
20800 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 6,9mOhm
Maksymalny prąd drenu: 110A
Maksymalna tracona moc: 375W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 175°C
Montaż: SMD