SUM55P06-19L-E3
Symbol Micros:
TSUM55P06-19l
Obudowa: D2PAK
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 41mOhm; 55A; 125W; -55°C ~ 175°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 41mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 55A |
| Maksymalna tracona moc: | 125W |
| Obudowa: | D2PAK |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: Siliconix
Symbol producenta: SUM55P06-19L-E3 RoHS
Obudowa dokładna: D2PAK t/r
Stan magazynowy:
102 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 200+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,8000 | 4,7600 | 3,9300 | 3,6300 | 3,5800 |
Towar w drodze
Planowany termin:
2026-12-31
Ilość szt.: 100
| Rezystancja otwartego kanału: | 41mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 55A |
| Maksymalna tracona moc: | 125W |
| Obudowa: | D2PAK |
| Producent: | VISHAY |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |