SUP53P06-20-E3 VISHAY

Symbol Micros: TSUP53p0620-e3
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO-220AB
Trans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 19,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: -53A
Maksymalna tracona moc: 104,2W
Obudowa: TO-220AB
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: -60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Vishay Symbol producenta: SUP53P06-20-E3 Obudowa dokładna: TO-220AB  
Magazyn zewnetrzny:
750 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,1845
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: SUP53P06-20-E3 Obudowa dokładna: TO-220AB  
Magazyn zewnetrzny:
7650 szt.
ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,6287
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 19,5mOhm
Maksymalny prąd drenu: -53A
Maksymalna tracona moc: 104,2W
Obudowa: TO-220AB
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: -60V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT