TIP115

Symbol Micros: TTIP115
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 1000; 2W; 60V; 2A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: TIP115G (ONS);
Parametry
Moc strat: 2W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 1000
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: ST Symbol producenta: TIP115 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,9900 1,8900 1,4900 1,3600 1,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Moc strat: 2W
Producent: STMicroelectronics
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 1000
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta