TIP122

Symbol Micros: TTIP122 LGE
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; 1000; 2W; 100V; 5A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: TIP122-LGE;
Parametry
Moc strat: 2W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 1000
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: LGE Symbol producenta: TIP122 RoHS Obudowa dokładna: TO220AB  
Stan magazynowy:
456 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7700 1,1600 0,8300 0,7260 0,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Moc strat: 2W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 1000
Producent: STMicroelectronics
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 5A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN