TIP141-S
Symbol Micros:
TTIP141
Obudowa: TO218
Tranzystor NPN; 1000; 125W; 80V; 10A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: TIP141G; TIP141-S; LTB:
Parametry
| Moc strat: | 125W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 1000 |
| Obudowa: | TO218 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 10A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: TIP141G RoHS
Obudowa dokładna: TO218
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
| ilość szt. | 1+ | 5+ | 30+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,9100 | 5,8600 | 5,0000 | 4,7100 | 4,6500 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: TIP141G
Obudowa dokładna: TO218
Magazyn zewnetrzny:
360 szt.
| ilość szt. | 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,6500 |
| Moc strat: | 125W |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 1000 |
| Obudowa: | TO218 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 10A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |