TK110P10PL,RQ(S2
Symbol Micros:
TTK110p10pl
Obudowa: TO252
Mosfet, N-ch, 100V, 40A, TO-252
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 16mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 40A |
| Maksymalna tracona moc: | 75W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | Toshiba |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 16mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 40A |
| Maksymalna tracona moc: | 75W |
| Obudowa: | TO252 |
| Producent: | Toshiba |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 175°C |
| Montaż: | SMD |