TK190U65Z
Symbol Micros:
TTK190U65Z
Obudowa:
DTMOS VI TOLL PD=130W F=1MHZ Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 190mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 15A |
| Maksymalna tracona moc: | 130W |
| Obudowa: | TOLL |
| Producent: | Toshiba |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 190mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 15A |
| Maksymalna tracona moc: | 130W |
| Obudowa: | TOLL |
| Producent: | Toshiba |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |