TK6A65D(STA4,Q,M)
Symbol Micros:
TTK6a65d
Obudowa: TO220iso
Trans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 1,11Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 6A |
Maksymalna tracona moc: | 45W |
Obudowa: | TO220iso |
Producent: | Toshiba |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Toshiba
Symbol producenta: TK6A65D(STA4,Q,M)
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnetrzny:
31160 szt.
ilość szt. | 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,1648 |
Rezystancja otwartego kanału: | 1,11Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 6A |
Maksymalna tracona moc: | 45W |
Obudowa: | TO220iso |
Producent: | Toshiba |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | THT |