TK6A65D(STA4,Q,M)

Symbol Micros: TTK6a65d
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220iso
Trans MOSFET N-CH Si 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1,11Ohm
Maksymalny prąd drenu: 6A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO220iso
Producent: Toshiba
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Toshiba Symbol producenta: TK6A65D(STA4,Q,M) Obudowa dokładna: TO220iso  
Magazyn zewnetrzny:
31160 szt.
ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1648
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 1,11Ohm
Maksymalny prąd drenu: 6A
Maksymalna tracona moc: 45W
Obudowa: TO220iso
Producent: Toshiba
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT