TP65H150G4PS
Symbol Micros:
TTP65H150G4PS
Obudowa: TO220
RENESAS Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 16 A, 0.18 ohm, 8 nC, TO-220, Through Hole
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 180mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 16A |
| Maksymalna tracona moc: | 83W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Renesas |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 180mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 16A |
| Maksymalna tracona moc: | 83W |
| Obudowa: | TO220 |
| Producent: | Renesas |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |