TPN11006NL
Symbol Micros:
TTPN11006nl
Obudowa: PowerTDFN8(5x6)
Trans MOSFET N-CH Si 60V 37A 8-Pin TSON EP Advance T/R TPN11006NL,LQ(S
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 17mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 37A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | PowerTDFN8(5x6) |
| Producent: | TOSHIBA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 17mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 37A |
| Maksymalna tracona moc: | 30W |
| Obudowa: | PowerTDFN8(5x6) |
| Producent: | TOSHIBA |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |