TSM05N03CW RPG

Symbol Micros: TTSM05n03cw
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 5A; 3W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 90mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5A
Maksymalna tracona moc: 3W
Obudowa: SOT223
Producent: TAI-SEM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: TAI-SEM Symbol producenta: TSM05N03CW RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 25+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 1,6300 1,0600 0,8450 0,6920 0,6250
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Rezystancja otwartego kanału: 90mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5A
Maksymalna tracona moc: 3W
Obudowa: SOT223
Producent: TAI-SEM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD