TSM2306CX RFG

Symbol Micros: TTSM2306cx
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 94mOhm; 3,5A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 94mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,5A
Maksymalna tracona moc: 1,25W
Obudowa: SOT23-3
Producent: TAI-SEM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: TAI-SEM Symbol producenta: TSM2306CX RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1600 0,6140 0,4760 0,4400 0,4210
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 94mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,5A
Maksymalna tracona moc: 1,25W
Obudowa: SOT23-3
Producent: TAI-SEM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD