TSM2323CX RFG
Symbol Micros:
TTSM2323cx
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 68mOhm; 4,7A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik:TSM2323CX RF; TSM2323CXRF;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 68mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 4,7A |
Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | TAI-SEM |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 68mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | 4,7A |
Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
Obudowa: | SOT23-3 |
Producent: | TAI-SEM |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 8V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |