TSM2NB60CP ROG
Symbol Micros:
TTSM2nb60cp
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 4,4Ohm; 2A; 44W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 44W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | TAI-SEM |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol producenta: TSM2NB60CP ROG RoHS
Obudowa dokładna: DPAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 25+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,5300 | 1,5900 | 1,3500 | 1,1700 | 1,1000 |
Producent: Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
Symbol producenta: TSM2NB60CP ROG
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnetrzny:
6050 szt.
| ilość szt. | 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3114 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4,4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2A |
| Maksymalna tracona moc: | 44W |
| Obudowa: | DPAK |
| Producent: | TAI-SEM |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |