TSM2NB60CP ROG

Symbol Micros: TTSM2nb60cp
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 4,4Ohm; 2A; 44W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4,4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 44W
Obudowa: DPAK
Producent: TAI-SEM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: TAI-SEM Symbol producenta: TSM2NB60CP ROG RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 25+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,5300 1,5900 1,3500 1,1700 1,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Rezystancja otwartego kanału: 4,4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 2A
Maksymalna tracona moc: 44W
Obudowa: DPAK
Producent: TAI-SEM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 600V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD