TSM2NB60CP ROG
Symbol Micros:
TTSM2nb60cp
Obudowa: DPAK
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 4,4Ohm; 2A; 44W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 4,4Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 2A |
Maksymalna tracona moc: | 44W |
Obudowa: | DPAK |
Producent: | TAI-SEM |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 4,4Ohm |
Maksymalny prąd drenu: | 2A |
Maksymalna tracona moc: | 44W |
Obudowa: | DPAK |
Producent: | TAI-SEM |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | 600V |
Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |