TSM3401CX RFG

Symbol Micros: TTSM3401cx
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 90mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 1,25W
Obudowa: SOT23-3
Producent: TAI-SEM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: TSMC Symbol producenta: TSM3401CX RFG RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2600 0,6680 0,5180 0,4780 0,4580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Rezystancja otwartego kanału: 90mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3A
Maksymalna tracona moc: 1,25W
Obudowa: SOT23-3
Producent: TAI-SEM
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD