VNB20N07-E

Symbol Micros: TVNB20n07
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor OMNI-FET; 70V; 70mOhm; 20A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VNB20N07TR-E;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 70mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 83W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 70V
Typ tranzystora: OMNI-FET
Producent: ST Symbol producenta: VNB20N07-E RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
16 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 20+ 100+
cena netto (PLN) 12,0300 10,3500 9,3600 9,0200 8,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10/20
Rezystancja otwartego kanału: 70mOhm
Maksymalny prąd drenu: 20A
Maksymalna tracona moc: 83W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 70V
Typ tranzystora: OMNI-FET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta