VNB35N07

Symbol Micros: TVNB35n07
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Tranzystor OMNI-FET; 70V; 35mOhm; 35A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VNB35N07-E; VNB35N0713TR; VNB35N07TR-E;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 35mOhm
Maksymalny prąd drenu: 35A
Maksymalna tracona moc: 125W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 70V
Typ tranzystora: OMNI-FET
Producent: ST Symbol producenta: VNB35N07-E RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
7 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 24,1100 20,4100 18,1800 16,7400 16,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Rezystancja otwartego kanału: 35mOhm
Maksymalny prąd drenu: 35A
Maksymalna tracona moc: 125W
Obudowa: TO263 (D2PAK)
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 70V
Typ tranzystora: OMNI-FET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD