VND3NV04TR-E

Symbol Micros: TVND3nv04
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252 (DPAK)
MOSFET POWER OMNIFET II DPAK VND3NV0413TR; VND3NV04-E; VND3NV04TR-E; VND3NV04;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 120mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,5A
Maksymalna tracona moc: 35W
Obudowa: TO252 (DPAK)
Producent: ST
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 150°C
Producent: ST Symbol producenta: VND3NV04TR-E Obudowa dokładna: TO252 (DPAK)  
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9426
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 120mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,5A
Maksymalna tracona moc: 35W
Obudowa: TO252 (DPAK)
Producent: ST
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 150°C
Montaż: SMD