VND5N07-E

Symbol Micros: TVND5n07-e
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor OMNI-FET; 70V; 280mOhm; 5A; 60W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: VND5N07TR-E;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 280mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5A
Maksymalna tracona moc: 60W
Obudowa: TO252
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 70V
Typ tranzystora: OMNI-FET
Producent: ST Symbol producenta: VND5N07-E RoHS Obudowa dokładna: TO252 karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 20+ 75+ 150+
cena netto (PLN) 9,2300 7,0500 6,2400 5,8800 5,7700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75/150
Rezystancja otwartego kanału: 280mOhm
Maksymalny prąd drenu: 5A
Maksymalna tracona moc: 60W
Obudowa: TO252
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 70V
Typ tranzystora: OMNI-FET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD