VNP10N07-E

Symbol Micros: TVNP10n07
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor OMNI-FET; 70V; 140mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 140mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 50W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 70V
Typ tranzystora: OMNI-FET
Producent: ST Symbol producenta: VNP10N07-E RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,0800 5,9900 4,9800 4,8600 4,7500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Rezystancja otwartego kanału: 140mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 50W
Obudowa: TO220
Producent: STMicroelectronics
Maksymalne napięcie dren-źródło: 70V
Typ tranzystora: OMNI-FET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta