WPM2015 SOT23

Symbol Micros: TWPM2015 c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 2,4A; 110mOhm; 1,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: HXY MOSFET WPM2015; WILLSEMI WPM2015-3/TR; VBSEMI WPM2015-3/TR; WPM2015-HXY;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 110mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,4A
Maksymalna tracona moc: 1,1W
Obudowa: SOT23
Producent: KUU
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: WPM2015-HXY RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,8820 0,4420 0,2630 0,2180 0,1960
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Producent: kuu semiconductor Symbol producenta: WPM2015-3/TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 0,8360 0,3940 0,2200 0,1760 0,1520
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Rezystancja otwartego kanału: 110mOhm
Maksymalny prąd drenu: 2,4A
Maksymalna tracona moc: 1,1W
Obudowa: SOT23
Producent: KUU
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta