YFW4N65AD TO252 YFW
Symbol Micros:
TYFW4N65AD YFW
Obudowa: TO252
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 2,8Ohm; 4A; 51W; -55°C ~ 150°C; LGE4N65D; YFW4N65AD; BXP4N65D;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 51W |
| Obudowa: | TO252 (DPAK) |
| Producent: | YFW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2,8Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 51W |
| Obudowa: | TO252 (DPAK) |
| Producent: | YFW |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 650V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |