YFW4N65AF TO220F YFW

Symbol Micros: TYFW4N65AF YFW
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220F
High Voltage MOSFET; N-Channel 650V 4A Through Hole TO-220F YFW4N65AF; LGE4N65F; BXP4N65F;
Parametry
Moc strat: 33W
Producent: YFW
Obudowa: TO220F
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 650V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: YFW Symbol producenta: YFW4N65AF RoHS Obudowa dokładna: TO220F karta katalogowa
Stan magazynowy:
195 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9000 1,1500 0,8860 0,8000 0,7610
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Moc strat: 33W
Producent: YFW
Obudowa: TO220F
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 650V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: N-MOSFET