YFW4N65AMJ TO-251S(3.5mm) YFW

Symbol Micros: TYFW4N65AMJ YFW
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO251S (IPAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 2,8Ohm; 4A; 51W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BXP4N65U;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 2,8Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 51W
Obudowa: TO251
Producent: YFW
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Producent: YFW Symbol producenta: YFW4N65AMJ RoHS Obudowa dokładna: TO251S (IPAK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3500 0,7150 0,5540 0,5120 0,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Producent: YFW Symbol producenta: YFW4N65AMJ RoHS Obudowa dokładna: TO251S (IPAK) karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3500 0,7150 0,5540 0,5120 0,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
80
Rezystancja otwartego kanału: 2,8Ohm
Maksymalny prąd drenu: 4A
Maksymalna tracona moc: 51W
Obudowa: TO251
Producent: YFW
Maksymalne napięcie dren-źródło: 650V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT