YGW25N120TMB1 LUXIN-SEMI

Symbol Micros: TYGW25n120tmb1
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 75A; 273W; 4,4V~6,0V; 23nC; -40°C~175°C; Podobny do: IKW25N120H3FKSA1; IKW25N120T2FKSA1;
Parametry
Ładunek bramki: 23nC
Maksymalna moc rozpraszana: 273W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 75A
Maksymalny prąd kolektora: 50A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,4V ~ 6,0V
Obudowa: TO247
Producent: LUXIN-SEMI
Producent: LUXIN-SEMI Symbol producenta: YGW25N120TMB1 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 8,4800 6,2900 5,3700 5,0600 4,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ładunek bramki: 23nC
Maksymalna moc rozpraszana: 273W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 75A
Maksymalny prąd kolektora: 50A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 4,4V ~ 6,0V
Obudowa: TO247
Producent: LUXIN-SEMI
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Napięcie kolektor-emiter: 1200V
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT