YGW40N65FMA1 LUXIN-SEMI

Symbol Micros: TYGW40n65fma1
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO247
Tranzystor IGBT ; 650V; 20V; 80A; 160A; 197W; 3V~5V; 75nC; -40°C~175°C; Podobny do: IKW40N60H3FKSA1; IRGP4640DPBF;
Parametry
Ładunek bramki: 75nC
Maksymalna moc rozpraszana: 197W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 160A
Maksymalny prąd kolektora: 80A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,0V ~ 5,0V
Obudowa: TO247
Producent: LUXIN-SEMI
Producent: LUXIN-SEMI Symbol producenta: YGW40N65FMA1 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 7,2900 5,7800 4,9200 4,5200 4,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Producent: LUXIN-SEMI Symbol producenta: YGW40N65FMA1 RoHS Obudowa dokładna: TO247 karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 7,2900 5,4100 4,6600 4,3900 4,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ładunek bramki: 75nC
Maksymalna moc rozpraszana: 197W
Maksymalna prąd kolektora w impulsie: 160A
Maksymalny prąd kolektora: 80A
Napięcie przewodzenia (Vgeth): 3,0V ~ 5,0V
Obudowa: TO247
Producent: LUXIN-SEMI
Temperatura pracy (zakres): -40°C ~ 175°C
Napięcie kolektor-emiter: 650V
Napięcie bramka-emiter: 20V
Montaż: THT