ZVN2106A DIODES INCORPORATED
Symbol Micros:
TZVN2106A Diodes
Obudowa: TO92
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 450mA; 700mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 450mA |
| Maksymalna tracona moc: | 700mW |
| Obudowa: | TO92 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZVN2106A RoHS
Obudowa dokładna: TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
17 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,6000 | 1,6300 | 1,3500 | 1,2100 | 1,1300 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZVN2106A
Obudowa dokładna: TO92
Magazyn zewnętrzny:
4012 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2654 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 2Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 450mA |
| Maksymalna tracona moc: | 700mW |
| Obudowa: | TO92 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | THT |