ZVN2110GTA Diodes
Symbol Micros:
TZVN2110g
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 4Ohm; 500mA; 2W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 500mA |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Zetex
Symbol producenta: ZVN2110GTA RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Stan magazynowy:
40 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,7100 | 1,7100 | 1,3400 | 1,2200 | 1,1800 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZVN2110GTA
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1800 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 500mA |
| Maksymalna tracona moc: | 2W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |