ZXMN10A08DN8TA
Symbol Micros:
TZXMN10a08dn8
Obudowa: SOP08
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 2,1A; 1,8W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMN10A08DN8TA RoHS
Obudowa dokładna: SOP08t/r
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,7500 | 2,3800 | 1,8700 | 1,7100 | 1,6300 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMN10A08DN8TA
Obudowa dokładna: SOP08
Magazyn zewnetrzny:
51500 szt.
| ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6300 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 300mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,8W |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 100V |
| Typ tranzystora: | 2xN-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |