ZXMN2A01FTA
Symbol Micros:
TZXMN2a01fta
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 225mOhm; 2,2A; 806mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 225mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 806mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMN2A01FTA RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1700 | 0,6240 | 0,4860 | 0,4390 | 0,4250 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMN2A01FTA
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnętrzny:
60000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4479 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 225mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,2A |
| Maksymalna tracona moc: | 806mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |