ZXMN6A07FTA
Symbol Micros:
TZXMN6a07f
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 350mOhm; 1,4A; 806mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 350mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 806mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 350mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,4A |
| Maksymalna tracona moc: | 806mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |