ZXMN6A09GTA DIODES
Symbol Micros:
TZXMN6a09g
Obudowa: SOT223
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 7,5A; 3,9W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,9W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: Zetex
Symbol producenta: ZXMN6A09GTA RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Stan magazynowy:
90 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,9100 | 2,4500 | 2,0400 | 1,8100 | 1,7000 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMN6A09GTA
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,6919 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMN6A09GTA
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,1238 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 60mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 7,5A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,9W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |