ZXMP10A16KTC DIODES

Symbol Micros: TZXMP10a16k
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 285mOhm; 4,6A; 9,76W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 285mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,6A
Maksymalna tracona moc: 9,76W
Obudowa: TO252
Producent: Zetex
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: ZXMP10A16KTC Obudowa dokładna: TO252  
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6501
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: ZXMP10A16KTC Obudowa dokładna: TO252  
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt.
ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5939
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 285mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,6A
Maksymalna tracona moc: 9,76W
Obudowa: TO252
Producent: Zetex
Maksymalne napięcie dren-źródło: 100V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD