ZXMP3A13FTA DIODES

Symbol Micros: TZXMP3A13FTA Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 210mOhm; 1,6A; 625mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 210mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,6A
Maksymalna tracona moc: 625mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 210mOhm
Maksymalny prąd drenu: 1,6A
Maksymalna tracona moc: 625mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: DIODES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD